4 Robotyka i mechatronika Degree Programs in Hongkong

Program zapewnia naukowcom stosowanym i inżynierom możliwość dogłębnego zbadania różnych aspektów inżynierii materiałowej i nanotechnologii. Kursy w tym programie mogą być również wykorzystane do spełnienia wymogu „kursów uzupełniających” dotyczących przystąpienia do dyscypliny materiałowej Hongkong Institution of Engineers (HKIE).

Celem programu jest poszerzenie specjalistycznej wiedzy technicznej w strategicznie wybranych obszarach, takich jak obwody RF i mikrofal oraz elektromagnetyka stosowana, systemy elektroniczne i energetyczne, komunikacja bezprzewodowa oraz komunikacja optyczna, które odpowiadają obecnym i przewidywanym przyszłym potrzebom przemysłu. Ze względu na szybki postęp istniejących technologii, program jest przeznaczony dla praktykujących inżynierów, którzy chcą poszerzyć i uaktualnić swoją wiedzę w tej dziedzinie.

Program studiów magisterskich z zakresu technologii mikroelektronicznej i materiałów ma na celu kształcenie wysoko wykwalifikowanych talentów, którzy dysponują wiedzą i umiejętnościami praktycznymi, a ich wkład w rozwój dynamicznie rozwijającego się przemysłu półprzewodników.

Półprzewodniki są wszędzie – od procesorów i chipów AI w naszych smartfonach, po urządzenia elektroniczne do pojazdów elektrycznych i autonomicznych, po nowe czujniki dla opieki zdrowotnej. Szkolenia wymagane w zakresie produkcji i technologii półprzewodników szybko rozwijają się w wielu dziedzinach. Oprócz procesu produkcji półprzewodników, przemysł półprzewodników jest kapitałochłonny i musi koncentrować się na realistycznych potrzebach w zakresie inteligencji produkcyjnej, w tym budowie nowych fabryk, migracji technologii, przekształcaniu i rozszerzaniu mocy produkcyjnych, zakupach narzędzi i outsourcingu. W ostatnim czasie produkcja półprzewodników stała się również globalnym polem geopolitycznym. Dlatego istnieje potrzeba kształcenia zawodowego, aby szkolić inżynierów w Hongkongu i Chinach kontynentalnych w celu zdobycia możliwości inteligentnej produkcji półprzewodników.